-
1 ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
abbr1) brit.engl. Bipolar-junction FET2) microel. BIFET, Bipolar Junction Field-Effect Transistor, Bipolar-SFETУниверсальный русско-немецкий словарь > ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
-
2 интегральный усилитель на биполярных и полевых транзисторах с p-n-переходом
adjmicroel. BIFET-VerstärkerУниверсальный русско-немецкий словарь > интегральный усилитель на биполярных и полевых транзисторах с p-n-переходом
-
3 ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
abbrmicroel. BIFET-OperationsverstärkerУниверсальный русско-немецкий словарь > ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
-
4 интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
adjmicroel. Bipolar-SFET-BauelementestrukturУниверсальный русско-немецкий словарь > интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
-
5 технология ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
Универсальный русско-немецкий словарь > технология ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом
-
6 BIFET-Technik
сущ.1) электр. технология ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом2) микроэл. Би-ПТ-технология, технология (изготовления) ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом -
7 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
8 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
9 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораRussian-English dictionary of Nanotechnology > полевой транзистор
-
10 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
11 BIFET
сущ.1) сокр. Bipolar-junction FET -
12 Bipolar Junction Field-Effect Transistor
Универсальный немецко-русский словарь > Bipolar Junction Field-Effect Transistor
-
13 Bipolar-SFET
-
14 Bipolar-SFET-Bauelementestruktur
прил.микроэл. интегральная структура на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходомУниверсальный немецко-русский словарь > Bipolar-SFET-Bauelementestruktur
-
15 Bipolar-junction FET
прил.1) брит. ИС, ИС на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходом2) электр. изготовленная по Би-ПТ-технологииУниверсальный немецко-русский словарь > Bipolar-junction FET
-
16 BIFET-Operationsverstärker
сущ.микроэл. ИС операционного усилителя на биполярных транзисторах и полевых транзисторах с p-n-переходомУниверсальный немецко-русский словарь > BIFET-Operationsverstärker
-
17 BIFET-Verstärker
сущ.микроэл. интегральный усилитель на биполярных и полевых транзисторах с p-n-переходом
См. также в других словарях:
микросхема на биполярных и полевых транзисторах — integrinis grandynas su dvipoliais ir lauko tranzistoriais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar FET integrated circuit vok. integrierter Bipolar und Feldeffekttransistor Schaltkreis, m rus. микросхема на биполярных и… … Radioelektronikos terminų žodynas
микросхема на биполярных и полевых транзисторах с изолированными затворами — integrinis grandynas su dvipoliais ir lauko tranzistoriais su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bipolar insulated gate FET integrated circuit vok. integrierter Bipolar und Feldeffkettransistor Schaltkreis mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
УСИЛИТЕЛИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ — устройства, в к рых осуществляется повышение мощности электрич. колебаний с частотами 0/3хl012 Гц за счёт преобразования энергии стороннего источника питания (накачки) в энергию усиливаемых колебаний. Физ. явления, используемые для преобразования … Физическая энциклопедия
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
Интегральная схема — Запрос «БИС» перенаправляется сюда; см. также другие значения. Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа Интегральная (микро)схема ( … Википедия
Усилитель электрических колебаний — устройство, предназначенное для усиления электрических (электромагнитных) колебаний в системах многоканальной связи, радиоприёмной, радиопередающей, измерительной и др. аппаратуре. Такое усиление представляет собой процесс управления… … Большая советская энциклопедия
Операционный усилитель — Содержание 1 История 2 Обозначения 3 … Википедия